terça-feira, 26 de maio de 2009

Cuidados na utilização de transistores de potência de RF

Deve-se observar que um transistor de potencia de RF deve operar sempre dentro da faixa de potência para o qual ele foi fabricado, sob pena de não apresentar o rendimento esperado. Assim, não se deve utilizar um transistor de, por exemplo, 20W, numa potência muito inferior (5W), ou superior (30W). No primeiro caso, o seu desempenho será inferior ao de um transistor apropriado para aquela potência. No segundo caso o transistor terá sua vida útil comprometida.

Outro problema é a utilização de transistores fabricados para as faixas de VHF e UHF em amplificadores de HF. Tais transistores possuem uma fT muito elevada, fazendo com que, também, o ganho seja elevado em baixas-frequências (inferiores a 30 MHz). Para a utilização desses transistores, é necessário o uso de redes amortecedoras de baixa frequência em paralelo com a base.

Para finalizar, seguem-se alguns conselhos e recomendações que dizem respeito ao uso de transistores de potência RF.

a) Deve-se prover um meio adequado para dissipar o calor gerado pelo funcionamento do transistor mediante o uso de dissipadores de calor: um transistor de RF deve funcionar frio ao toque. Excesso de temperatura causa perda de potência e aumenta a dissipação de calor, podendo provocar uma avalanche térmica, com consequente dano para o transistor.

b) O ganho de corrente de um transistor de potência de RF varia de forma inversamente proporcional à corrente de coletor. A corrente de pico é determinada, assim, pela diminuição aceitável da amplificação em alta frequência. Isso e importante quando a tensão de alimentação é baixa e se usa modulação em amplitude.

c) O regime de tensão entre coletor e base não deve ser excedido para que não ocorra ruptura da junção. Isso pode ocorrer, principalmente quando se usa modulação em amplitude e a carga se encontra reativa, seja pelo descasamento de impedância com a antena, seja durante o processo de ajuste de sintonia.

d) A frequência de transição, fT, do transistor deve ser muito superior a frequência de operação do amplificador. Como a frequência de transição é função da corrente e, normalmente, diminui para correntes elevadas de emissor, deve-se determinar o nível da corrente de trabalho antes de escolher o transistor. Uma alta fT em correntes elevadas é própria de um bom transistor de potência de RF.

e) Em uso móvel, um transistor de potência de RF está sujeito a condições severas de descasamento de impedâncias, causadas por linhas de transmissão ou antenas defeituosas. Para suportar os regimes elevados de tensão e corrente, resultantes destas condições adversas, o transistor deve ser montado num bom dissipador de calor, capaz de manter baixa a temperatura da junção.

Fonte:
Telecomunicações
Juarez do Nascimento
Makron Books

3 comentários:

José disse...

Olá!
Muito boas as suas dicas! E, bom, eu tenho uma dúvida...tenho um driver de flyback, com 555, e comprei um IGBT monster para fazer uns testes. Que tipo de cuidados eu preciso ter?
*a única carga do IGBT seria o enrolamento em volta do núcleo do flyback, pode isso?
Abraço e obrigado!

Picco disse...

José,

Obrigado pela visita.

Os cuidados mostrados nesse texto são para transistor de um modo geral não somente RF.

Um abraço

José disse...

Ok! Obrigadão!