sábado, 7 de julho de 2012

Bit molecular levará discos rígidos ao limite


O pulso elétrico disparado pela ponta de um microscópio de tunelamento altera a molécula entre diferentes estados de magnetização e condutância.



Spintrônica molecular

Um bit de informação digital gravado em um disco rígido moderna é formado por cerca de 3 milhões de átomos magnéticos. Mas dá para fazer o mesmo trabalho com muito menos - mais especificamente, com 51 átomos. Na verdade, todo o trabalho é feito com um único átomo de ferro, com os outros 50 átomos compondo um escudo protetor contra alterações indesejadas no valor do bit. Foi isto o que demonstraram pesquisadores da Universidade de Chiba (Japão) e do Instituto de Tecnológica Karlsruhe (Alemanha), em um trabalho que conjuga eletrônica molecular e spintrônica.

Proteção orgânica

Toshio Miyamachi e seus colegas construíram uma memória magnética que utiliza uma única molécula para guardar um bit - uma molécula chamada Fe-phen, uma abreviatura de Fe(1,10-phenanthroline)2(NCS)2Esta molécula, um complexo metal-orgânico, apresenta um fenômeno chamado spin-crossover, a capacidade de alterar o spin por um estímulo externo, neste caso por um estímulo elétrico. Usando um pulso elétrico, a molécula pode alternar entre um estado magnético e condutor para um estado não-magnético e de baixa condução - uma posição representa o "0" e a outra representa o "1" binários. O uso de uma molécula única elimina o entrave do chamado efeito superparamagnético, que vem impedindo a diminuição dos bits dos discos rígidos - o efeito superparamagnético resulta na maior suscetibilidade dos cristais magnéticos a influências termais, à medida que esses cristais diminuem de tamanho. "Nós usamos uma outra abordagem, e colocamos um único átomo magnético de ferro no centro de uma molécula orgânica constituída de 51 átomos. A camada orgânica protege a informação guardada no átomo central," explica o Dr. Miyamachi.

Spintrônica e memresistor

Além de alcançar o limite definitivo de um bit por molécula, esse tipo de memória spintrônica também tem a vantagem de usar um processo de escrita puramente elétrico. Mas há ainda uma vantagem maior. Ao ser chaveada pelo pulso elétrico, a molécula Fe-phen apresenta uma larga gama de diferentes condutâncias ao longo de cada uma das configurações magnéticas. Ou seja, ela apresenta um comportamento memresistivo - o comportamento de um memristor, o quarto componente eletrônico fundamental, que promete nada menos do que computadores capazes de aprender. "Essas propriedades memresistivas e spintrônicas combinadas em uma única molécula vão abrir um campo totalmente novo de pesquisas," prevê o Dr. Miyamachi.

Fonte: Inovação Tecnológica

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