quarta-feira, 12 de julho de 2017

Criado transístor spintrônico que funciona a temperatura ambiente


Esquema da heteroestrutura grafeno-MoS2 que permite a injeção do spin no grafeno e sua manipulação usando uma tensão elétrica (em cima) e micrografia colorida artificialmente do primeiro transístor spintrônico a funcionar a temperatura ambiente (embaixo).



Spintrônica

Engenheiros da Universidade de Tecnologia Chalmers, na Suécia, fabricaram um transístor de efeito de campo (FET) spintrônico usando grafeno e molibdenita, dois materiais que estão nos levando rumo a um novo patamar da eletrônica. A grande inovação é que o componente funciona a temperatura ambiente, o que abre caminho para sua incorporação nos circuitos existentes e para a criação de processadores e memórias totalmente spintrônicos.

Enquanto os processadores tradicionais usam correntes de elétrons - ou eletricidade - a spintrônica tira proveito do momento angular - o spin - de cada elétron individual, uma propriedade mais parecida com o magnetismo, já que cada elétron pode ter um spin "para baixo" ou "para cima", como se fosse um pequeno ímã. Isso deverá permitir aumentar enormemente a densidade das memórias - cada elétron funciona como um bit - e reduzir de forma igualmente drástica o consumo de energia e o aquecimento dos processadores.

Transístor spintrônico

"Controlar o fluxo de correntes de spin no estilo de um transístor é um sonho de uma década e o elo perdido rumo a aplicações da lógica de spin totalmente elétricas," disse o pesquisador André Dankert. "Os pesquisadores estão trabalhando há quase dez anos para entender as propriedades de transporte do spin em vários materiais em camadas e como eles podem ser ajustados para alcançar esse objetivo. Nosso trabalho é um marco importante no campo da spintrônica."

O grafeno é um material promissor para o transporte das correntes de spin a temperatura ambiente devido à sua baixa massa atômica. Mas foi necessário combiná-lo com outro material igualmente promissor, a molibdenita, criando uma heteroestrutura, para criar o transístor FET spintrônico. "Combinando o grafeno, onde o spin dura por nanossegundos, com o dissulfeto de molibdênio, onde o spin só dura por picossegundos, você pode controlar por onde o spin pode ir usando uma tensão na porta - essencialmente, você pode criar um interruptor de spin. Igualmente importante, mostramos nesta pesquisa um mix de materiais específico que permite que esta chave de spin funcione a temperatura ambiente," disse Saroj Dash, coautor do trabalho.

Agora que sabem que o transístor de spin funciona, os pesquisadores planejam dedicar-se à sua otimização e ganho de eficiência.


terça-feira, 4 de julho de 2017

RF Probe

Fiz essa sonda de RF para medir a potência de transmissores usando o multímetro, como não tenho wattímetro pelo menos já da pra quebrar um galho.

O esquema é bem simples e segue abaixo:


Componentes:

R1, R2 - 100R x 1/2W
R3 - 68k
C1, C3 - 10n
C2, C4 - 1n
DS1 - BAT42, BAT47, 1N5711 ou qualquer diodo de germânio
JAF1 - choque de RF


Para calcular basta usar a fórmula da lei de ohms W = V2/R onde R é o valor da carga que nesse caso é 50 ohms representado por R1 e R2 e V é a tensão medida pelo multímetro, lembrando que essa sonda é para medir potências baixas, no máximo 10W.

Abaixo a foto da montagem.